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1、先確定極性在測量IGBT好壞之前,先必須要確定IGBT的極性。2、將萬用表設置到R×1KQ位置。用萬用表測量時,如果一級和另外兩極的電阻值是無窮大的,則更換表筆後該極和另外兩極的電阻值仍然是無窮大,則判斷此極是柵極...
1、IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測,或用數字萬用表的“二極管”擋來測量PN結正向壓降進行判斷。2、檢測前先將IGBT管三隻引腳短路放電,避免影響檢測的準確度;然後用指針萬用表的兩枝表筆正反測G、e兩極及G、c...
1、IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT雙極型三極管和MOS絕緣柵型場效應管組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大。...
1、IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT雙極型三極管和MOS絕緣柵型場效應管組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大。...
工作原理:1、PWM控制技術在逆變電路中應用最廣,應用的逆變電路絕大部分是PWM型,PWM控制技術正是有賴於在逆變電路中的應用,才確定了它在電力電子技術中的重要地位。1PWM控制的基本原理的理論基礎:衝量相等而形狀不同;2、PW...
IGBT非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組...
1、IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測,或用數字萬用表的“二極管”擋來測量PN結正向壓降進行判斷。2、檢測前先將IGBT管三隻引腳短路放電,避免影響檢測的準確度;然後用指針萬用表的兩枝表筆正反測G、e兩極及G、c...
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有高輸入阻抗和低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度...
igbt的作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關斷。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MO...
1、先確定極性在測量IGBT好壞之前,先必須要確定IGBT的極性。2、將萬用表設置到R×1KQ位置。用萬用表測量時,如果一級和另外兩極的電阻值是無窮大的,則更換表筆後該極和另外兩極的電阻值仍然是無窮大,則判斷此極是柵極...
1、IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測,或用數字萬用表的“二極管”擋來測量PN結正向壓降進行判斷。2、檢測前先將IGBT管三隻引腳短路放電,避免影響檢測的準確度;然後用指針萬用表的兩枝表筆正反測G、e兩極及G、c...
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管。是由BJT雙極型三極管和MOS絕緣柵型場效應管組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。靜態特性:IGBT的靜態特性主要有伏安特性、轉移特...
1、先確定極性在測量IGBT好壞之前,先必須要確定IGBT的極性。2、將萬用表設置到R×1KQ位置。用萬用表測量時,如果一級和另外兩極的電阻值是無窮大的,則更換表筆後該極和另外兩極的電阻值仍然是無窮大,則判斷此極是柵極...
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